Texas Instruments CSD13201W10
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Recursos de ingeniería
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Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
Descripciones
Descripciones de Texas Instruments CSD13201W10 suministradas por sus distribuidores.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 34 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-Ch 8V 1.1V@250µA 2.9nC@4.5V 12V 34mΩ@1A,4.5V 1.6A 462pF@6V DSBGA SMD 1mm × 1mm × 630μm
Transistor, MOSFET, N-CH, 12V, 1.6A, 1.2W, 4-UFBGA, SMD
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
Alias de fabricantes
Texas Instruments tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Texas Instruments también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance462 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.2 W
Rds On Max34 mΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.4 ns
Turn-On Delay Time3.9 ns
Dimensions
Height625 µm
Length0 m
Thickness650 µm
Width0 m