Vishay SIA517DJ-T1-GE3
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Mosfet, Complementary/12V/5.6A/U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC1229UFDB-7
Descripciones
Descripciones de Vishay SIA517DJ-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
SIA517DJ-T1-GE3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,4.3 A,4.5 A,12V,6-PIN SC-70
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
MOSFET, N&P-CH, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Volt
Channel Type:N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:12V; Drain Source Voltage Vds P Channel:12V; Continuous Drain Current Id N Channel:4.5A; Continuous Drain Current Id P Channel:4.5A; No. Of Pins:6Pins; Product Range:- Rohs Compliant: No |Vishay SIA517DJ-T1-GE3.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -12.79%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance500 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs400 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max29 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento