STMicroelectronics VNB35N07TR-E
$ 2.167
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | VNB35N07TR-E | 1000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | VNB35N07TR-E | 312 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | VNB35N07TR-E | 33.000 | 1K | |||||||||
| Verical | VNB35N07TR-E | 33.000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-19738-1-ND | 1765 | 1 | Cut Tape |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +330%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Componentes relacionados
InfineonIRF530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;D2Pak;PD 70W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics VNB35N07TR-E suministradas por sus distribuidores.
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 18V 45A Automotive AEC-Q100 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single 35 A 70 V 0.028 Ohm Low Side Fully Autoprotected Power MosFet - TO-263-3
MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 125W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 3 - 168 hours; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 35A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 70V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet Omnifet 70V 35A D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:18A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:80V; Resistencia De Activación Rds(On):28Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3V |Stmicroelectronics VNB35N07TR-E
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current35 A
Max Power Dissipation125 W
Max Supply Current250 µA
Min Breakdown Voltage60 V
Nominal Supply Current250 µA
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Outputs1
Operating Supply Voltage18 V
Output Current25 A
Output Voltage55 V
Power Dissipation125 W
Resistance28 mΩ
Schedule B8542390000
Threshold Voltage3 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant