STMicroelectronics STW6N120K3
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STW6N120K3 | 0 | 600 | 6d | ||||||||
| Farnell | STW6N120K3 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Microchip USA | STW6N120K3 | 261 | 600 | Tray | 4h | |||||||
| Win Source | WS-STW6N120K3 | 1291 | 9 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW6N120K3 | 29.869 | 7 | Tube | 12h |
Fichas técnicas y documentos
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW6N120K3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
6 A 1200 V 2.4 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
MOSFET, N CH, 1.2KV, 6A, 1.95OHM, TO-247
N-Ch+Z-Dio 1200V 6A 150W 2,4R TO247
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 1.2KV, 6A, 1.95OHM, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 1.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs:
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance2.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max2.4 Ω
Resistance2.4 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant