STMicroelectronics STW4N150
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- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.5 kV
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage1.5 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max7 Ω
Resistance7 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)1.5 kV
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant