STMicroelectronics STW50N65DM2AG
$ 3.53
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-16138-5-ND | 430 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW50N65DM2AG | 0 | 1 | 7h | ||||||||
| Newark | STW50N65DM2AG | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STW50N65DM2AG | 0 | 600 | 1d | ||||||||
| Future Electronics | STW50N65DM2AG | 0 | 600 | Tube |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTWA45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
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onsemiFCH110N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW45N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 34A TO247 / N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
VishaySIHG33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC / Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW50N65DM2AG suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, 38A, 300W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW50N65DM2AG
Trans MOSFET N-CH 650V 38A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 650V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
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