STMicroelectronics STW32NM50N
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
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N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonIPW60R160P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 160 mOhm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW32NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
500V 22A 130m´Î@10V11A 190W 4V@250Ã×A N Channel TO-247AC MOSFETs ROHS
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
N-Ch 500V 22A 190W 0,13R TO247
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 500V, 22A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N-Ch, 500V, 22A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW32NM50N
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant