STMicroelectronics STW12N120K5
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N-channel 900 V, 0.72 Ohm, 11 A, TO-247 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW12N120K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
250W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 44.2nC@ 10 V 1N 1.2KV 690m¦¸@ 6A,10V 12A 1.37nF@100V TO-247-3 24.45mm
Ptd High Voltage Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW12N120K5
1200 V 0.69 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-247
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 12A, 150度 C, 250W;
N-CH 1200V 12A 690mOhm TO247-3
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, 150DEG C, 250W;
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 1200V, 12A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -20.23%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation250 W
Rds On Max690 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68.5 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant