STMicroelectronics STW15NK90Z
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InfineonIPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW15NK90Z suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 900V - 0.40͐2;6; - 15A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh, SuperMESH, Vds=900V 15A TO-247 TH 3-Pin
STW15NK90Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 900 V, 3-PIN TO-247
N Channel 900 V 0.4 O Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-247
MOSFET, N CH, 900V, 15A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Po
N-CHANNEL 900V-0.40 OHM-15A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.98%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance6.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation350 W
Rds On Max550 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Voltage Rating (DC)1 kV
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant