STMicroelectronics STU7NM60N
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
Rochester ElectronicsIPS105N03LG
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STU7NM60N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
STU7NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 600 V, 3-PIN TO-251
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK / Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
600 V, 5 A, 0.76 OHM N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Mosfet, N Ch, 600V, 5A, To-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU7NM60N
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.39%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance363 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant