STMicroelectronics STS1NK60Z
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-02
LTD Date2027-04-02
Componentes relacionados
InfineonIRF9952QPBF
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
VishaySI9933CDY-T1-GE3
Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STS1NK60Z suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.25 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in SO-8 package
N-Channel 600 V 15 Ohm SMT SuperMESH Power Mosfet - SOIC-8
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 250 mA, 13 ohm, SOIC, Surface Mount
2W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 6.9nC@ 10 V 1N 600V 15¦¸@ 400mA,10V 250mA 94pF@25V SOIC-8 5mm*4mm*1.65mm
MOSFET, N-CH, 600V, 0.25A, SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 250mA; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Po
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Current Rating250 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance15 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance94 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max15 Ω
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant