STMicroelectronics STP85NF55
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
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N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
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MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP85NF55 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 55 V 0.008 Ohm 150 nC 300 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Automotive-grade N-channel 55 V, 0.0062 Ohm typ., 42 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 55V, 80A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP85NF55
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length38.1 mm
Width12.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant