STMicroelectronics STP80NF06
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
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N-Channel 55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP80NF55-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP80NF06 suministradas por sus distribuidores.
STP80NF06 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 60 V, 3-PIN TO-220
N-CHANNEL 60V 0.0065 Ohm 80A TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 60V, 80A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0065ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.85 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance8 mΩ
Rise Time85 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant