STMicroelectronics STP80NF10
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
125W 20V 1.2V 58nC@ 10V 1N 100V 12m¦¸@ 10V 69A 4.21nF@ 50V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP80NF10 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET(TM) MOSFET
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP
STP80NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.012 ohm, TO-220, Through Hole
N-CHANNEL 100 V, 0.012 OHM, 80 A, TO-220 LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:300W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.63%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 kg
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 mΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time116 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant