onsemi FDP150N10
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIPP12CN10LGXKSA1
125W 20V 1.2V 58nC@ 10V 1N 100V 12m¦¸@ 10V 69A 4.21nF@ 50V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP150N10 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 57A, 15mΩ
100 V, 57 A, 15 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET, N CH, 100V, 57A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:228A
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.76 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time164 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento