STMicroelectronics STP31N65M5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-Channel 650 V 18 A 101 W 111 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP31N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STP31N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 710 V, 3-PIN TO-220
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, 150Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP31N65M5
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
150W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 650V 148m¦¸@ 11A,10V 22A 816pF@100V TO-220
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -4.28%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance148 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max148 mΩ
Resistance148 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant