STMicroelectronics STP30N65M5

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220
$ 3.6
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STP30N65M5.

element14 APAC

Datasheet22 páginasHace 20 años

Newark

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+137%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STP30N65M5 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
SnapEDA
Footprint
Descargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTP32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600V, 23A, 165mΩ, TO-220
onsemiFCP22N60N
N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 22 A, 165 mΩ, TO-220
onsemiFCP20N60
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 20 A, 190 mΩ, TO-220

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STP30N65M5 suministradas por sus distribuidores.

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220
Transistor MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
140W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 650V 139m¦¸@ 11A,10V 22A 2.88nF@100V TO-220
N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • STP30N65M5.