onsemi FCP20N60
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-02-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
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STMicroelectronicsSTP30N65M5
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-220
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STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
Descripciones
Descripciones de onsemi FCP20N60 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 20 A, 190 mΩ, TO-220
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Single N-Channel 600 V 208 W 98 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
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MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:600V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low onresistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.08 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time230 ns
Turn-On Delay Time62 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento