STMicroelectronics STP180N10F3
$ 2.626
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-11228-5-ND | 918 | 1 | Tube | ||||||||
| Mouser | 511-STP180N10F3 | 2763 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STP180N10F3 | 121 | 600 | Tube | 16h | |||||||
| Win Source | WS-STP180N10F3 | 26.000 | 40 | 26m | ||||||||
| Worldway Electronics | STP180N10F3 | 16.714 | 7 | Tube | 2h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-04-02
LTD Date2022-10-02
Componentes relacionados
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
STMicroelectronicsSTP165N10F4
N-channel 100 V, 4.1 mΩ, 160 A TO-220, H²PAK STripFET͐2;2; DeepGATE͐2;2; Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP180N10F3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 100 V, 4.5 mOhm, 120 A STripFET(TM) III Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
315W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 114.6nC@ 10 V 1N 100V 5.1m¦¸@ 60A,10V 120A 6.665nF@25V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time6.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.665 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation315 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max5.1 mΩ
Resistance5.1 MΩ
Rise Time97.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time99.9 ns
Turn-On Delay Time25.6 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant