onsemi FDP045N10A-F102
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-Ch 100V 20A 4.5mΩ@100A,10V 8.41nF@50V TO-220 TH 10mm×440cm×9.25mm
STMicroelectronicsSTP180N10F3
N-channel 100 V, 4.5 mOhm, 120 A STripFET(TM) III Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP140N8F7
N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP160N75F3
N-channel 75 V, 3.5 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP037N08N3GXKSA1
TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 80V, 100A, TO220
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP045N10A-F102 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4.5mΩ, TO-220 3L, 6400-RAIL
MOSFET N-Ch 100V 120A 4.5mΩ@100A,10V 74nC@10V 263W(Tc) 5.27nF@50V TO-220-3 TH 10.67mm × 4.7mm × 16.3mm
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation263 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation263 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.29 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento