STMicroelectronics STP16NF06
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP20NF06L
N-channel 60 V, 0.06 Ohm typ., 20 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPP052N06L3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP16NF06 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 16 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 16A - TO-220 StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 60V, 16A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP16NF06.
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant