STMicroelectronics STP15N65M5
$ 1.138
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STP15N65M5 | 3698 | 20 | Tube | ||||||||
| DigiKey | 497-12936-5-ND | 816 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STP15N65M5 | 90 | 1 | 18h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STP15N65M5 | 0 | 5 | Bulk | 15h | |||||||
| Avnet | STP15N65M5 | 0 | 1K | 4h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
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STMicroelectronicsSTP16N65M5
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP15N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
STP15N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 710 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
ANALOG DEVICES - ADG3300BRUZ - Voltage Level Translator, 8 Input, 6 ns, 1.15 V to 5.5 V, TSSOP-20
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STP15N65M5
Power MOSFETs, 650V, 11A, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance810 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max340 mΩ
Resistance340 MΩ
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant