STMicroelectronics STP11NM50N
$ 1.302
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-10576-5-ND | 109 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STP11NM50N | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Farnell | STP11NM50N | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Microchip USA | STP11NM50N | 2103 | 600 | Tube | 7d | |||||||
| Component Stockers USA | STP11NM50N | 470 | >1wk |
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600V, 10.2A, 380mΩ, TO-220
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP11NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 8.5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 9A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance470 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance547 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max470 mΩ
Resistance470 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant