STMicroelectronics STP10NK70Z
$ 2.236
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-5893-5-ND | 120 | 1 | Tube | ||||||||
| Farnell | STP10NK70Z | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| element14 APAC | STP10NK70Z | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Microchip USA | STP10NK70Z | 1481 | 600 | Tray | 16h | |||||||
| Win Source | WS-STP10NK70Z | 18.000 | 55 | 1d |
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N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP10NK70Z suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 700 V - 0.75 OHM - 8.6 A TO-220 ZENER-PROTECTED SuperMESH POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
150W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 700V 850m¦¸@ 4.5A,10V 8.6A 2nF@25V TO-220 9.15mm
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 700V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:700V; Continuous Drain Current Id:8.6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V; Power Dissipation:150W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10NK70Z
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating8.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)700 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant