STMicroelectronics STP10NK60Z
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N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP10NK60Z suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
10 A 600 V 0.75 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 11
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:10A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):750Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP10NK60Z
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation115 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time20 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant