STMicroelectronics STL30N10F7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-14540-1-ND | 4101 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STL30N10F7 | 4623 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STL30N10F7 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Future Electronics | STL30N10F7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STL30N10F7 | 0 | 3K | 15h |
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Power MOSFETs, 100V, 8A, PowerFLAT 5x6, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N-CH, 100V, 30A, POWERFLAT;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance920 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation4.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape and Reel
Rds On Max35 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.8 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Dimensions
Height950 µm
Length6.35 mm
Width5.4 mm
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