STMicroelectronics STB30NF10T4
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB30NF10T4 | 971 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STB30NF10T4 | 5000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB30NF10T4 | 4000 | 1K | |||||||||
| TME | STB30NF10T4 | 541 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey | 497-6550-1-ND | 12 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
InfineonIRF540NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB40NF10LT4
N-CHANNEL 100V 0.028 OHM 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB30NF10T4 suministradas por sus distribuidores.
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
N-Channel 100 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II MosFet - D2PAK
STB30NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
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Mosfet, N Channel, 100V, 35A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:15A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):38Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB30NF10T4
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.18 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation115 W
Rds On Max52 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant