STMicroelectronics STI24N60M2
$ 1.065
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13775-5-ND | 162 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STI24N60M2 | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STI24N60M2 | 0 | 1K | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STI24N60M2 | 0 | 5 | Bulk | 13h | |||||||
| Avnet | STI24N60M2 | 0 | 1K | 2d |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -74.07%
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STI24N60M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STI24N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
N-Channel 600 V 190 mOhm Through Hole MDmesh II Plus Power Mosfet - I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -74.07%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max190 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant