STMicroelectronics STGWT40H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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NewarkSTGWT40H65DFB2891
VericalSTGWT40H65DFB2193
Arrow ElectronicsSTGWT40H65DFB210210
TME
2
STGWT40H65DFB391
3h
AvnetSTGWT40H65DFB0600
7h

Fichas técnicas y documentos

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STMicroelectronics

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Future Electronics

Newark

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Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STGWT40H65DFB suministradas por sus distribuidores.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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STGWT40 Series 650 V 80 A Through Hole Silicon IGBT - TO-3P
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Verical
STGWT40H65DFB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P
RS (Formerly Allied Electronics)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IHS
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 283W;
element14 APAC
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 283W;
Farnell
TO3P IGBT 40A @100C 600V TRENC
Anglia
283W 1.6V 650V 80A TO-3P 23.4mm
Unikeyic (ICkey)
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

Augswan
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Lanka Micro
Future Electronics

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics