STMicroelectronics STGWA25H120DF2
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTGW25S120DF3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG7PH35UD-EP
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with UltraFast Soft Recovery Diode
InfineonIRG7PH35UDPBF
TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGWA25H120DF2 suministradas por sus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
375W 50A 1.2kV FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
STGWA25H120: 1200 V 50 A 375 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Trench gate field-stop IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
Igbt |Stmicroelectronics STGWA25H120DF2
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
375W 2.1V 2.6V@ 15V,25A 50A TO-247-3
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Forward Current25 A
Forward Voltage3.8 V
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time303 ns
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