STMicroelectronics STGWA15M120DF3
$ 2.048
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.02%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGWA15M120DF3.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STGWA15M120DF3 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTGW15H120DF2
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG7PH30K10DPBF
IGBT 1200V 30A 180W TO247AC IGBT Trench 1200 V 30 A 180 W Through Hole TO-247AC
InfineonIRG8P15N120KDPBF
IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC IGBT 1200 V 30 A 125 W Through Hole TO-247AC
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STGWA15M120DF3 suministradas por sus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
259W 1.85V Freestanding 2.3V@ 15V,15A 30A TO-247 Through hole mounting 15.8mm*5mm*21mm
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Trench gate field-stop IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
Low thermal resistance | IGBT 1200V 30A 259W
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3
TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 259W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.02%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current15 A
Forward Voltage2.7 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time270 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STGWA15M120DF3.