Infineon IRG7PH30K10DPBF
$ 12.29
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRG7PH30K10DPBF.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-09-01
LTD Date2017-03-01
Componentes relacionados
InfineonIRG4PH40KPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIRG4PH40KDPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRG7PH30K10DPBF suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT,N CH,1200V,30A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:180W
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time56 ns
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Reverse Recovery Time140 ns
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento