STMicroelectronics STF8N80K5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF8NM60ND
N-channel 600 V, 0.59 Ω, 7 A, FDmesh͐2;2; II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
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N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF8N80K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.8 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
N-Ch MOSFET 800V 6A 950mΩ@3A,10V 450pF@100V 16.5nC@10V 5V@100µA 30V 25W(Tc) TO-220FP TH 20mm H
N-Channel 800 V 6 A 0.95 Ohm Zener-protected Mosfet - TO-220FP
STF8N80K5 N-channel MOSFET Transistor, 6 A, 800 V, 3-Pin TO-220FP
800V 6A N-CH MOSFET TO-220FP 0.8 Ohm Power Transistor
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max950 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.6 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant