STMicroelectronics STF6N95K5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP10NK80ZFP
N-Channel 800V - 0.8 Ohm - 9A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
onsemiFQPF9N90CT
MOSFET, N CH, 900V, 1.12OHM, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF6N95K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 13nC@ 10 V 1N 950V 1.25¦¸@ 3A,10V 9A 450pF@100V TO-220FP 20mm
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 950V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 9A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:9A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF6N95K5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance1.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.25 Ω
Resistance1.25 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Length10.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant