onsemi FQPF9N90CT
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF10N65K3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole
STMicroelectronicsSTP10NK80ZFP
N-Channel 800V - 0.8 Ohm - 9A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF9N90CT suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, N CH, 900V, 1.12OHM, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 8 A, 1.4 Ω, TO-220F
TRANSISTOR, N-CHANNEL, QFET MOSFET, 900V, 8.0A, 1.4 OHM AT VGS 10V, TO-220
N-Channel 900 V 1.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 900V, 8A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation68 W
Rds On Max1.4 Ω
Resistance1.4 Ω
Rise Time120 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento