STMicroelectronics STF5N62K3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF5N62K3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 620 V, 1.28 Ohm typ., 4.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 620V 1.6¦¸@ 2.1A,10V 4.2A 680pF@50V TO-220FP 16.4mm
4.2 A 620 V 1.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
620 V, 4.2 A, 1.28 OHM, TO-220FP SUPERMESH3 N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 620V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 620V, 4.2A, TO220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.2A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 1.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.6 Ω
Resistance1.6 Ω
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant