onsemi FQPF5N60C
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF5N60C suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 4.5 A, 2.5 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
600 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 2.5ohm; Rds(on) Test V; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, N, To-220F; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):2.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:4V |Onsemi FQPF5N60C.
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance670 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation33 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time42 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento