STMicroelectronics STF21N90K5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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N-channel 800 V, 0.19 Ohm typ., 19.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
onsemiFCPF260N65FL1
N-Channel Power MOSFET, SuperFET® II, FRFET®, 650 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220F
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF21N90K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
Single N-Channel 900 V 0.299 Ohm 43 nC 40 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 900V, 18.5A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:18.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF21N90K5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.05%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.645 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max299 mΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant