STMicroelectronics STF18NM80
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF21NM60ND
N-Channel 600 V 220 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
STMicroelectronicsSTF25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF18NM80 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP / Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
40W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 70nC@ 10 V 1N 800V 295m¦¸@ 8.5A,10V 17A 2.07nF@50V TO-220FP 20mm
800V 17A 295m´Î@10V8.5A 40W 5V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
MOSFET, N CH, 800V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -99.71%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.07 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant