STMicroelectronics STF18N55M5
$ 1.718
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-11324-5-ND | 142 | 1 | Tube | ||||||||
| Avnet | STF18N55M5 | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Farnell | STF18N55M5 | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Win Source | WS-STF18N55M5 | 8000 | 20 | 14h | ||||||||
| Worldway Electronics | STF18N55M5 | 12.529 | 7 | Tube | 13h |
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF16N65M5
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STMicroelectronicsSTF22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF18N55M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 550 V, 0.150 Ohm, 16 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220FP package
STF18N55M5 N-channel MOSFET Transistor, 13 A, 550 V, 3-Pin TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 550V, 13A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage550 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max192 mΩ
Resistance240 MΩ
Rise Time9.5 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant