STMicroelectronics STF19NM50N
$ 2.034
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-12572-5-ND | 970 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STF19NM50N | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Avnet | STF19NM50N | 0 | 1K | 6h | ||||||||
| Future Electronics | STF19NM50N | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Arrow Electronics | STF19NM50N | 0 | 1K |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF19NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 500V 250m¦¸@ 7A,10V 14A 1nF@50V TO-220FP
14 A 500 V 0.25 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 MΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant