STMicroelectronics STD7NM60N
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD7NM60N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
STD7NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5 A, 600 V, 3-PIN TO-252
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK / Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET, N CH, 600V, 5A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.84ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dis
600 V, 5 A, 0.76 OHM N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.05%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance363 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation45 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant