STMicroelectronics STD7N60M2
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Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Modelos CAD
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD7N60M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.86 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD7N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 650 V, 3-Pin DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
60W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 8.8nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 950m¦¸@ 2.5A,10V 5A 271pF@100V TO-252 SMD mount 6.6mm(Length)*2.4mm(height)
MOSFET, N-CH, 600V, 5A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: MDmesh II Plus Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance271 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation60 W
Rds On Max950 mΩ
Resistance950 mΩ
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19.3 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant