STMicroelectronics STD1802T4
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Componentes alternativos
Este componente
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Stock
1,181,893
84,860
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252
TO-252
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
100
100
Power Dissipation
15 W
15 W
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXTN4004KTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD1802T4 suministradas por sus distribuidores.
STD1802 Series 60 V 3 A 15 W Fast Switching NPN Power Transistor - TO-252
Trans GP BJT NPN 60V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Power Bipolar, NPN, 2V, 100mA, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Styl
Transistor, Npn, D-Pak; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:60V; Frecuencia De Transición Ft:150Mhz; Disipación De Potencia Pd:15W; Corriente De Colector Dc:3A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:200 |Stmicroelectronics STD1802T4
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 300mV; Continuous Collector Current Ic Max: 3A; Current Gain Hfe Max: 400; Current Ic Continuous a Max: 3A; Current Ic hFE: 100mA; Current Ic hfe -Do Not Use See ID 1182: 100mA; DC Current Gain Hfe Max: 400; DC Current Gain Hfe Min: 200; Gain Bandwidth ft Min: 150MHz; Gain Bandwidth ft Typ: 150MHz; Hfe Min: 200; Power Dissipation Ptot Max: 15W; Saturation Current (Isat): 2A; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vcbo: 80V; Voltage Vceo Sat: 0.3V
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant