STMicroelectronics STB42N60M2-EP
$ 2.832
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB42N60M2-EP | 904 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB42N60M2-EP | 3000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB42N60M2-EP | 880 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-15896-1-ND | 258 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB42N60M2-EP | 0 | 1K | 22h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB42N60M2-EP suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
250W(Tc) 25V 4.75V@ 250¦ÌA 55nC@ 10 V 1N 600V 87m¦¸@ 17A,10V 34A 2.37nF@100V D2PAK,TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:34A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
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