STMicroelectronics STB28NM50N

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
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Newark

Datasheet21 páginasHace 20 años

STMicroelectronics

element14 APAC

Future Electronics

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Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STB28NM50N suministradas por sus distribuidores.

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
150W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 500V 158m¦¸@ 10.5A,10V 21A 1.735nF@25V D2PAK
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 500V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Mosfet, N Channel, 500V, 21A, To-263; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:21A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):0.135Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB28NM50N

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics