STMicroelectronics STB30N65M5
$ 2.889
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB30N65M5 | 3000 | 1K | |||||||||
| Verical | STB30N65M5 | 3000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-10563-1-ND | 1043 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB30N65M5 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB30N65M5 | 0 | 1K | 3d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySIHB22N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB30N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Mosfet, N-Ch, 650V, 22A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB30N65M5
140W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 650V 139m¦¸@ 11A,10V 22A 2.88nF@100V D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Resistance139 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant