STMicroelectronics STB14NM50N

N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
$ 1.801
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STB14NM50N.

Newark

Datasheet15 páginasHace 13 años

Farnell

Future Electronics

element14 APAC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+51.02%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STB14NM50N desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Componentes relacionados

onsemiFDB15N50
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 500 V, 9 A, 800 mΩ, D2PAK
INFINEON - IPB60R380C6ATMA1 - MOSFET Transistor, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STB14NM50N suministradas por sus distribuidores.

N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 550 V 0.32 Ohm Surface Mount MDMesh II Power MosFet - D2PAK
90W 25V 4V@ 100uA 27nC@ 10 V 2N 500V 320m¦¸@ 6A,10V 12A 816pF@50V D2PAK 4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 500V, 12A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Mosfet, N Ch, 500V, 12A, To-263; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:12A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):0.28Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Stmicroelectronics STB14NM50N

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics