STMicroelectronics STB200N6F3
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-05-15
LTD Date2012-11-15
Componentes relacionados
InfineonAUIRFS3206
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
InfineonIPB120N06S403ATMA2
60V, N-Ch, 2.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
VishaySUM110N06-3M9H-E3
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.00325OHM, ID 110A, TO-263,PD 375W, VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB200N6F3 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-Channel 60V 120A 3.6mΩ@60A,10V 330W(Tc) 20V 4V@250µA 100nC@10V 6.8nF@25V D2PAK SMD
N-channel 60 V, 3 mΩ, 120 A D²PAK, TO-220, I²PAK STripFET™2; Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max3.6 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Fichas técnicas y documentos
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