Infineon AUIRFS3206

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain
$ 1.73
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsAUIRFS320648
2h
RS (Formerly Allied Electronics)AUIRFS3206025Bulk
19h
FarnellAUIRFS320601
1d
Component Stockers USAAUIRFS320645
17h
Win SourceWS-AUIRFS32062016
3h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon AUIRFS3206.

RS (Formerly Allied Electronics)

Datasheet11 páginasHace 10 años

IHS

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonAUIRFS3206
InfineonIRFS3206TRRPBF
InfineonIRFS3206TRRPBF
Price @ 1000
$ 1.73
$ 1.13
$ 1.13
Stock
48,520
472,262
472,262
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
6.54 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon AUIRFS3206 suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Newark
Trans MOSFET N-CH 60V 210A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
International Rectifier
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; Enhanced dV/dT and dI/dT capability; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Infineon
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
element14 APAC

Imágenes

Infineon
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
Farnell
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP001521188